řada: E Výkonový MOSFET SIHU5N80AE-GE3 N-kanálový 4.4 A 800 V Vishay, IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 204-7228
Výrobní číslo:: SIHU5N80AE-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: E Výkonový MOSFET SIHU5N80AE-GE3 N-kanálový 4.4 A 800 V Vishay, IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Momentálně nedostupné

Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.

Skladové číslo RS:: 204-7228
Výrobní číslo:: SIHU5N80AE-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	4.4A
	Maximální napětí na zdroji Vds	800V
	Řada	E
	Typ balení	IPAK
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	1.35Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	16.5nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	62.5W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Šířka	2.39mm
	Délka	6.73mm
	Výška	6.22mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.4A
	Maximální napětí na zdroji Vds 800V
	Řada E
	Typ balení IPAK
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 1.35Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 16.5nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 62.5W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Šířka 2.39mm
	Délka 6.73mm
	Výška 6.22mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHU5N80AE-GE3

Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, maximální zdrojové napětí 800 V, maximální ztrátový výkon 62,5 W – SIHU5N80AE-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení navržené pro náročné průmyslové úlohy v oblasti převodu výkonu a řízení. Funguje jako tranzistor s režimem zesílení N-kanálu a je určen pro montáž na PCB s průchozím otvorem v pouzdru IPAK. Součást podporuje prostředí s vysokou teplotou a poskytuje jasný rozsah pohonu hradla pro robustní spínací chování v napájecích systémech.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota odvodu ke zdroji 800 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• nepřetržitý vypouštěcí proud 4,4 A podporuje trvalé vedení zátěže
• Nízká hodnota Rds(on) 1.35 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Typické náboje hradla 16.5 nC umožňuje efektivní konstrukci pohonu hradla
• Maximální ztrátový výkon 62.5 W umožňuje výraznou manipulaci s teplem
• Maximální napětí zdroje hradla 30 V zajišťuje izolační rezervu hradla

Aplikace

• Vhodné pro primární spínání vysokonapěťových SMPS
• Ideální pro přední konce průmyslových měničů s pohonem motoru
• Používá se se zvyšujícími měniči v obvodech účiníku
• Lze použít pro výměnu vysokonapěťových relé
• Používá se pro řízení energie a ochranu napájení

Jaké extrémní teploty může tolerovat během provozu?

Je určen pro provoz v rozsahu od -55 °C do 150 °C, což umožňuje použití v prostředích s velkými tepelnými rozdíly.

Jaké pouzdro a typ montáže používá pro montáž PCB?

Zařízení je dodáváno ve formě IPAK a je určeno pro montáž do průchozího otvoru, aby se usnadnilo tepelné vedení do chladičů.

Jaká charakteristika propustného napětí ovlivňuje vedení při středních proudech?

Součást vykazuje přímé napětí 1,2 V, což je relevantní při posuzování vodivosti tělesné diody a ztrát při reverzním zotavení.

Je produkt vhodný pro aplikace s požadavky RoHS?

Splňuje normy RoHS, což umožňuje nasazení tam, kde je nutný soulad s omezenými látkami.