řada: NTB MOSFET NTB004N10G N-kanálový 201 A 100 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 202-5688
- Výrobní číslo:
- NTB004N10G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*
1 023,07 Kč
(bez DPH)
1 237,92 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 835 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 204,614 Kč | 1 023,07 Kč |
| 50 - 95 | 176,358 Kč | 881,79 Kč |
| 100 + | 152,942 Kč | 764,71 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 202-5688
- Výrobní číslo:
- NTB004N10G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 201A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | NTB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.82mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 175nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 340W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 15.88mm | |
| Délka | 10.63mm | |
| Normy/schválení | Pb-Free and are RoHS | |
| Šířka | 4.83mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 201A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada NTB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.82mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 175nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 340W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 15.88mm | ||
Délka 10.63mm | ||
Normy/schválení Pb-Free and are RoHS | ||
Šířka 4.83mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET ON SEMICONDUCTOR mají napětí 201 a a 100 V. Lze jej použít v systémech s napětím 48 V.
Nízký odtok do zdroje při odporu
Pro vysoké hodnoty proudu
Široký bezpečný provozní prostor
Bez olova
Bez halogenů
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- řada: NTB MOSFET N-kanálový 201 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET N-kanálový 60 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET N-kanálový 185 A 150 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTBG023N065M3S N-kanálový 70 A 650 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTBGS4D1N15MC N-kanálový 185 A 150 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTBG040N120SC1 N-kanálový 60 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTBG080N120SC1 N-kanálový 30 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET Typ N-kanálový 30 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
