řada: NTB MOSFET NTBG023N065M3S N-kanálový 70 A 650 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 277-040
- Výrobní číslo:
- NTBG023N065M3S
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
266,27 Kč
(bez DPH)
322,19 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 595 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 266,27 Kč |
| 10 - 99 | 239,84 Kč |
| 100 - 499 | 220,82 Kč |
| 500 - 999 | 205,01 Kč |
| 1000 + | 166,48 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 277-040
- Výrobní číslo:
- NTBG023N065M3S
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 70A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | NTB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 23mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 263W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 69nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 6V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | |
| Délka | 9.2mm | |
| Výška | 15.4mm | |
| Šířka | 9.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 70A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada NTB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 23mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 263W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 69nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 6V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | ||
Délka 9.2mm | ||
Výška 15.4mm | ||
Šířka 9.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
SiC MOSFETy ON Semiconductor jsou optimalizovány pro rychlé spínání. Planární technologie spolehlivě pracuje se záporným napětím na hradle a vypíná špičky na hradle. Optimální výkon má při napájení 18V hradlem, ale dobře funguje i při napájení 15V hradlem.
Velmi nízký náboj brány
Vysokorychlostní spínání s nízkou kapacitou
100% lavinový test
Zařízení neobsahuje halogeny a je v souladu s RoHS
Související odkazy
- řada: NTB MOSFET N-kanálový 201 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET N-kanálový 60 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET N-kanálový 185 A 150 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTBGS4D1N15MC N-kanálový 185 A 150 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTBG040N120SC1 N-kanálový 60 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTB004N10G N-kanálový 201 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTBG080N120SC1 N-kanálový 30 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET Typ N-kanálový 30 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení