řada: STD MOSFET STD13N60M6 Typ N-kanálový 10 A 480 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- Skladové číslo RS:
- 202-4809
- Výrobní číslo:
- STD13N60M6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
259,35 Kč
(bez DPH)
313,81 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 328 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
balení | za balení | za jednotku* |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 259,35 Kč | 51,87 Kč |
| 10 - 19 | 220,57 Kč | 44,114 Kč |
| 20 - 49 | 154,62 Kč | 30,924 Kč |
| 50 - 199 | 151,16 Kč | 30,232 Kč |
| 200 + | 131,65 Kč | 26,33 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 202-4809
- Výrobní číslo:
- STD13N60M6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 480V | |
| Řada | STD | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 380mΩ | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 92W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.6mm | |
| Výška | 10.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 480V | ||
Řada STD | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 380mΩ | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 92W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.6mm | ||
Výška 10.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové MOSFET STMicroelectronics N-channel MDmesh M6 v pouzdru DPAK snižuje ztráty při spínání. Má také nižší RDS (zapnuto) na plochu oproti předchozí generaci.
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Ochrana Zenerovou diodou
Související odkazy
- řada: STD MOSFET Typ N-kanálový 10 A 480 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DN2625 MOSFET DN2625K4-G Typ N-kanálový 250 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- MOSFET STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: ST MOSFET Typ N-kanálový 68 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání