AEC-Q101, řada: NVMYS8D0N04C MOSFET NVMYS8D0N04CTWG Typ N-kanálový 49 A 40 V onsemi, LFPAK, počet kolíků: 4 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 balení po 30 kusech)*

197,01 Kč

(bez DPH)

238,38 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 2 400 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za balení*
30 +6,567 Kč197,01 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
195-2541
Výrobní číslo:
NVMYS8D0N04CTWG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

49A

Maximální napětí na zdroji Vds

40V

Řada

NVMYS8D0N04C

Typ balení

LFPAK

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

8.1mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

10nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

38W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Výška

1.15mm

Délka

5mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v pouzdru DPAK, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry. MOSFET a PPAP vhodné pro automobilové aplikace vyžadující zvýšenou spolehlivost na úrovni desky

Malé rozměry (5 x 6 mm) umožňují kompaktní návrh

Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením

Nízká hodnota QG a nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče

Pouzdro Lfpak4, Průmyslová Norma

Možnost PPAP

Tato zařízení jsou bez obsahu olova

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.