řada: NTMYS8D0N04C MOSFET NTMYS8D0N04CTWG Typ N-kanálový 49 A 40 V onsemi, LFPAK, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 195-2527
- Výrobní číslo:
- NTMYS8D0N04CTWG
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 30 kusech)*
854,13 Kč
(bez DPH)
1 033,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 06. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 28,471 Kč | 854,13 Kč |
| 120 - 270 | 24,544 Kč | 736,32 Kč |
| 300 + | 21,283 Kč | 638,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 195-2527
- Výrobní číslo:
- NTMYS8D0N04CTWG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 49A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | LFPAK | |
| Řada | NTMYS8D0N04C | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 38W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.15mm | |
| Délka | 5mm | |
| Šířka | 4.25mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 49A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení LFPAK | ||
Řada NTMYS8D0N04C | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 38W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.15mm | ||
Délka 5mm | ||
Šířka 4.25mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Průmyslový výkonový tranzistor MOSFET v plochém pouzdru 5 x 6 mm s vývody, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry.
Malé rozměry (5 x 6 mm) umožňují kompaktní návrh
Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením
Nízká hodnota QG a nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče
Pouzdro Lfpak4, Průmyslová Norma
Tato zařízení jsou bez obsahu olova
Související odkazy
- řada: NTMYS8D0N04C MOSFET Typ N-kanálový 49 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 LFPAK, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 LFPAK, počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: NTMJS1D4N06CL MOSFET Typ N-kanálový 262 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS014N06CL MOSFET Typ N-kanálový 36 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS7D3N04CL MOSFET Typ N-kanálový 52 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS025N06CL MOSFET Typ N-kanálový 21 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMJS1D5N04CL MOSFET Typ N-kanálový 200 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení