řada: NTMJS1D4N06CL MOSFET N-kanálový 262 A 60 V onsemi, LFPAK, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 201-3408
- Výrobní číslo:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Výrobce:
- onsemi
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 691,60 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
502,89 Kč
(bez DPH)
608,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 18. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 50,289 Kč | 502,89 Kč | - |
| 100 - 240 | 43,373 Kč | 433,73 Kč | 691,60 Kč |
| 250 + | 37,618 Kč | 376,18 Kč | 3 167,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 201-3408
- Výrobní číslo:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 262A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | NTMJS1D4N06CL | |
| Typ balení | LFPAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.3Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 180W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 103nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 1.3mm | |
| Výška | 5mm | |
| Délka | 4.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 262A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada NTMJS1D4N06CL | ||
Typ balení LFPAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.3Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 180W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 103nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 1.3mm | ||
Výška 5mm | ||
Délka 4.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
ON Semiconductor 60V N-channel MOSFET má průmyslový výkon 5x6mm, který se používá pro kompaktní a efektivní konstrukci a zahrnuje vysoký tepelný výkon. Je také to zařízení bez Pb a splňuje požadavky RoHS.
Nízká minimalizují ztráty vedení
Nízká hodnota QG a kapacita pro minimalizaci ztrát řidiče
Související odkazy
- řada: NTMJS1D4N06CL MOSFET NTMJS1D4N06CLTWG N-kanálový 262 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS014N06CL MOSFET N-kanálový 36 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS7D3N04CL MOSFET N-kanálový 52 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMJS1D0N04C MOSFET N-kanálový 300 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS8D0N04C MOSFET N-kanálový 49 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMJS1D6N06CL MOSFET N-kanálový 250 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS010N04CL MOSFET N-kanálový 38 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS5D3N04C MOSFET N-kanálový 71 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení