Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	164A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	NVMJS2D5N06CL
	Typ balení	LFPAK
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	3.3mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	113W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	52nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Výška	1.15mm
	Normy/schválení	No
	Délka	5mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 164A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada NVMJS2D5N06CL
	Typ balení LFPAK
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 3.3mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 113W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 52nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Výška 1.15mm
	Normy/schválení No
	Délka 5mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet NVMJS2D5N06CLTWG

Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v pouzdru DPAK, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry. MOSFET a PPAP vhodné pro automobilové aplikace vyžadující zvýšenou spolehlivost na úrovni desky.

Malé rozměry (5 x 6 mm) umožňují kompaktní návrh

Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením

Nízká hodnota QG a nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče

Pouzdro Lfpak8, Průmyslový Standard

Možnost PPAP

Tato zařízení jsou bez obsahu olova

AEC-Q101, řada: NVMJS2D5N06CL MOSFET NVMJS2D5N06CLTWG Typ N-kanálový 164 A 60 V onsemi, LFPAK, počet kolíků: 8 kolíkový

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS