AEC-Q101, řada: NVMYS5D3N04C MOSFET NVMYS5D3N04CTWG N-kanálový 71 A 40 V onsemi, LFPAK, počet kolíků: 4 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (30 jednotky/-ek, v balení po 30 ks)*

570,09 Kč

(bez DPH)

689,82 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 5 970 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks
za jednotku
za balení*
30 - 9019,003 Kč570,09 Kč
120 - 27016,384 Kč491,52 Kč
300 +14,186 Kč425,58 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
195-2523
Výrobní číslo:
NVMYS5D3N04CTWG
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

71A

Maximální napětí na zdroji Vds

40V

Typ balení

LFPAK

Řada

NVMYS5D3N04C

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

5.3mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální ztrátový výkon Pd

50W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

16nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

1.15mm

Šířka

4.25mm

Normy/schválení

No

Délka

5mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v pouzdru DPAK, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry. MOSFET a PPAP vhodné pro automobilové aplikace vyžadující zvýšenou spolehlivost na úrovni desky.

Malé rozměry (5 x 6 mm) umožňují kompaktní návrh

Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením

Nízká hodnota QG a nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče

Pouzdro Lfpak4, Průmyslová Norma

Možnost PPAP

Tato zařízení jsou bez obsahu olova

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.