MOSFET NTB095N65S3HF Typ N-kanálový 36 A 650 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 189-0381
Výrobní číslo:: NTB095N65S3HF
Výrobce:: onsemi

MOSFET NTB095N65S3HF Typ N-kanálový 36 A 650 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

301,09 Kč

(bez DPH)

364,318 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 03. července 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
2 - 18	150,545 Kč	301,09 Kč
20 - 198	129,80 Kč	259,60 Kč
200 +	112,51 Kč	225,02 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 189-0381
Výrobní číslo:: NTB095N65S3HF
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	36A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	TO-263
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	95mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd	272W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30 V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	66nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	9.65 mm
	Výška	4.58mm
	Normy/schválení	No
	Délka	10.67mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 36A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení TO-263
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 95mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd 272W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 66nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 9.65 mm
	Výška 4.58mm
	Normy/schválení No
	Délka 10.67mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet NTB095N65S3HF

SUPERFET III MOSFET je zbrusu nová řada MOSFET on Semiconductor s vysokým napětím (SJ), která využívá technologii vyvažování nabíjení pro vynikající nízký odpor a výkon nabíjení dolních hradel. Tato moderní technologie je přizpůsobená pro minimalizaci ztrát vedením, zajištění vynikající spínacího výkonu a odolnost vůči extrémnímu poměru dv/dt. Proto je SUPERFET III MOSFET velmi vhodný pro různé napájecí systémy pro miniaturizaci a vyšší účinnost. Optimalizovaný výkon funkce obnovení zpětného chodu u tělové diody SUPERFET III FRFET může odstranit další komponenty a zvýšit spolehlivost systému.

700 V při TJ = 150 °C

Mimořádně nízký poplatek za bránu (Typ. QG = 66 nC)

Nízká efektivní výstupní kapacitance (Typ. COSS(eff.) = 569 pF)

Vynikající výkonnost diody (nízké Qrr, robustní tělo)

Optimalizovaná kapacita

Typ. RDS(on) = 80 mΩ Vyšší spolehlivost systému při provozu při nízkých teplotách

Nižší ztráty při spínání

Vysoká spolehlivost systému v obvodech LLC a úplného můstku s fázovým posunem

Nižší špičková hodnota Vds a nižší hodnota oscilace Vgs

Aplikace

Telekomunikace

Cloudové systémy

Průmysl

Koncové produkty

Napájení telekomunikačních zařízení

Napájení serverů

Nabíječka EV

Solární energetika / zdroje UPS

MOSFET NTB095N65S3HF Typ N-kanálový 36 A 650 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Související odkazy