řada: FCB MOSFET Typ N-kanálový 14 A 650 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*

40 110,40 Kč

(bez DPH)

48 533,60 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 01. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
800 +50,138 Kč40 110,40 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
172-3419
Výrobní číslo:
FCB199N65S3
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

14A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

FCB

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

199mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

30nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

98W

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

4.83mm

Délka

10.67mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
SuperFET® III MOSFET je zcela nová řada vysokonapěťových tranzistorů Super-Junction (SJ) MOSFET společnosti ON Semiconductor, která využívá technologii vyvážení náboje pro zajištění výjimečných vlastností v rámci nízkého odporu při zapnutí a nižšího náboje řídicí elektrody. Tato moderní technologie je přizpůsobená pro minimalizaci ztrát vedením, zajištění vynikající spínacího výkonu a odolnost vůči extrémnímu poměru dv/dt. Díky tomu je tranzistor SuperFET III MOSFET velmi vhodný pro různé napájecí systémy pro miniaturizaci a vyšší účinnost.

700 V při TJ = 150 oC

Vyšší spolehlivost systému při provozu při nízkých teplotách

Mimořádně nízký náboj řídicí elektrody (typ. Qg = 30 nC)

Nižší ztráty při spínání

Nízká efektivní výstupní kapacita (typ. Coss(eff.) = 277 pF)

Nižší ztráty při spínání

Optimalizovaná kapacita

Nižší špičková hodnota Vds a nižší hodnota oscilace Vgs

Vnitřní odpor hradla: 7,0 ohmu

Nižší špičková hodnota Vds a nižší hodnota oscilace Vgs

Typ. RDS(on) = 170 mΩ

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.