AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 40 A 650 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 186-1281
- Výrobní číslo:
- NVB082N65S3F
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 186-1281
- Výrobní číslo:
- NVB082N65S3F
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 82mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 313W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 4.58mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 82mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 313W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 4.58mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 9.65mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Nevyhovuje
SUPERFET® III MOSFET je zbrusu nová řada MOSFET on Semiconductor s vysokým napětím (SJ), která využívá technologii vyvažování nabíjení pro vynikající nízký odpor a výkon při nabíjení dolních hradel. Tato moderní technologie je přizpůsobená pro minimalizaci ztrát vedením, zajištění vynikající spínacího výkonu a odolnost vůči extrémnímu poměru dv/dt. Proto je SUPERFET III MOSFET velmi vhodný pro různé systémy napájení pro miniaturizaci a vyšší účinnost. Optimalizovaný výkon funkce pro zpětné získání tělové diody SUPERFET III FRFET® MOSFET může odstranit další součásti a zvýšit spolehlivost systému.
700 V při TJ = 150 °C.
Typ. RDS(on) = 64 m
Mimořádně nízký náboj řídicí elektrody (typ. Qg = 81 nC)
Nízká efektivní výstupní kapacita (typ. Coss(eff.) = 722 pF)
Tato zařízení jsou bez obsahu olova
Typické aplikace
Palubní nabíječka automobilu
Převodník DC/DC pro automobilový průmysl, pro HEV
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET NVB082N65S3F Typ N-kanálový 40 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 24 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 20 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVB190N65S3F Typ N-kanálový 20 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVB150N65S3F Typ N-kanálový 24 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 36 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 30 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTB110N65S3HF Typ N-kanálový 30 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení