řada: FDP083N15A MOSFET FDP083N15A-F102 N-kanálový 117 A 150 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 186-7931
- Výrobní číslo:
- FDP083N15A-F102
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
520,48 Kč
(bez DPH)
629,78 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 56 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
balení | za balení | za jednotku* |
|---|---|---|
| 1 + | 520,48 Kč | 104,096 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 186-7931
- Výrobní číslo:
- FDP083N15A-F102
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 117A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | FDP083N15A | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.3mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 64.5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 294W | |
| Přímé napětí Vf | 1.25V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V dc | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Šířka | 4.67mm | |
| Výška | 8.78mm | |
| Délka | 10.36mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 117A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada FDP083N15A | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.3mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 64.5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 294W | ||
Přímé napětí Vf 1.25V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V dc | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Šířka 4.67mm | ||
Výška 8.78mm | ||
Délka 10.36mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tento MOSFET s kanálem N-Channel je vyráběn pomocí Advanced PowerTrench®, který byl šitý na míru pro minimalizaci odporu v pohotovostním stavu a zachování vynikajícího spínacího výkonu.
RDS(on) = 6,85 mΩ (Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 75 A.
Vysoká spínací rychlost
Nízký poplatek za zadní výklopnou stěnu, QG = 64,5nC (Typ.)
Technologie Trench s vysokým výkonem pro extrémně nízkou hladinu RDS(on)
Možnost vysokého výkonu a současného zpracování
Aplikace
Standardní napájecí zdroj AC-DC - servery a pracovní stanice
Standardní napájecí zdroj AC-DC - stolní počítač
Nepřerušitelný napájecí zdroj
Nepřerušitelný napájecí zdroj
Zpracování dalších dat
Synchronní obnovení pro napájecí zdroj ATX / Server / Telecom PSU
Obvod ochrany akumulátoru
Budiče motorů
Zdroje nepřerušitelného napájení
Mikrosolární invertory
Související odkazy
- řada: FDP083N15A MOSFET N-kanálový 117 A 150 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi 1 Jednoduchý
- onsemi Digitální tranzistor FDP075N15A-F102 TO-220 N-kanál, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- MOSFET IRL640A N-kanálový 18 A 200 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení Jednoduchý
- řada: UniFET MOSFET FDP5N50NZ N-kanálový 4.5 A 500 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení Jednoduchý
- onsemi Digitální tranzistor TO-220 N-kanál, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Napájecí modul SiC 28 A počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- onsemi Tranzistor 8 A NPN 150 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- onsemi Silikonový přechod Jednoduchý 8 A 150 V počet kolíků: 2 kolíkový