MPN

řada: FDP083N15A MOSFET N-kanálový 117 A 150 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi 1 Jednoduchý

Skladové číslo RS:: 186-7388
Výrobní číslo:: FDP083N15A-F102
Výrobce:: onsemi

řada: FDP083N15A MOSFET N-kanálový 117 A 150 V, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi 1 Jednoduchý

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

2 833,20 Kč

(bez DPH)

3 428,15 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 250 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 +	56,664 Kč	2 833,20 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 186-7388
Výrobní číslo:: FDP083N15A-F102
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	117A
	Maximální napětí na zdroji Vds	150V
	Typ balení	TO-220
	Řada	FDP083N15A
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	8.3mΩ
	Přímé napětí Vf	1.25V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V dc
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	64.5nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	294W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	4.67mm
	Normy/schválení	RoHS Compliant
	Výška	8.78mm
	Délka	10.36mm
	Počet prvků na čip	1
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 117A
	Maximální napětí na zdroji Vds 150V
	Typ balení TO-220
	Řada FDP083N15A
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 8.3mΩ
	Přímé napětí Vf 1.25V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V dc
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 64.5nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 294W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 4.67mm
	Normy/schválení RoHS Compliant
	Výška 8.78mm
	Délka 10.36mm
	Počet prvků na čip 1
	Automobilový standard Ne

Datasheet FDP083N15A-F102

Země původu (Country of Origin):: CN

Tento MOSFET s kanálem N-Channel je vyráběn pomocí Advanced PowerTrench®, který byl šitý na míru pro minimalizaci odporu v pohotovostním stavu a zachování vynikajícího spínacího výkonu.

RDS(on) = 6,85 mΩ (Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 75 A.

Vysoká spínací rychlost

Nízký poplatek za zadní výklopnou stěnu, QG = 64,5nC (Typ.)

Technologie Trench s vysokým výkonem pro extrémně nízkou hladinu RDS(on)

Možnost vysokého výkonu a současného zpracování

Aplikace

Standardní napájecí zdroj AC-DC - servery a pracovní stanice

Standardní napájecí zdroj AC-DC - stolní počítač

Nepřerušitelný napájecí zdroj

Zpracování dalších dat

Synchronní obnovení pro napájecí zdroj ATX / Server / Telecom PSU

Obvod ochrany akumulátoru

Budiče motorů

Zdroje nepřerušitelného napájení

Mikrosolární invertory

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.