řada: UniFET MOSFET FDP5N50NZ N-kanálový 4.5 A 500 V, TO-220 onsemi, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 806-3560
- Výrobní číslo:
- FDP5N50NZ
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 806-3560
- Výrobní číslo:
- FDP5N50NZ
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Řada | UniFET | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 4.5 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 500 V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Výška | 16.3 mm | |
| Délka | 10.67 mm | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 1.5 Ω | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | 25 V, -25 V | |
| Maximální provozní teplota | 150 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 78 W | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Šířka | 4.7 mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Řada UniFET | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 4.5 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 500 V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Výška 16.3 mm | ||
Délka 10.67 mm | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 1.5 Ω | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) 25 V, -25 V | ||
Maximální provozní teplota 150 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 78 W | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Šířka 4.7 mm | ||
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the Planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Související odkazy
- řada: UniFET MOSFET FDP5N50NZ N-kanálový 4.5 A 500 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení Jednoduchý
- řada: UniFET MOSFET N-kanálový 4.5 A 600 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET FDPF6N60ZUT N-kanálový 4.5 A 600 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET N-kanálový 22 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET N-kanálový 15 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET N-kanálový 61 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET N-kanálový 18 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET N-kanálový 51 A 250 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení