řada: UniFET MOSFET FDP5N50NZ Typ N-kanálový 4.5 A 500 V, TO-220 onsemi, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 806-3560
- Výrobní číslo:
- FDP5N50NZ
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 806-3560
- Výrobní číslo:
- FDP5N50NZ
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | UniFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25, -25V | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 16.3mm | |
| Šířka | 4.7mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada UniFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25, -25V | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 16.3mm | ||
Šířka 4.7mm | ||
N-kanálový tranzistor MOSFET UniFETTM, Fairchild Semiconductor
UniFETTM MOSFET je řada vysokonapěťových MOSFET od společnosti Fairchild Semiconductor. Má nejmenší odpor v zapnutém stavu mezi planárními MOSFET a také poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší sílu lavinové energie. Kromě toho interní dioda brány-zdroje ESD umožňuje MOSFET UniFET-IITM odolávat přepěťovému napětí přes 2000 V HBM.
Tranzistory UniFETTM MOSFET jsou vhodné pro aplikace spínacích měničů výkonu, jako je korekce účiníku (PFC), napájení televizoru s plochým displejem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) a elektronické předřadníky žárovky.
Tranzistory MOSFET, ON Semi
><
Polovodičové MOSFETy ON zajišťují vynikající konstrukční spolehlivost od snížení špiček napětí a přepětí až po snížení spojovací kapacity a zpětného obnovovacího náboje až po eliminaci dodatečných externích součástí pro udržení systémů v provozu a delší dobu.
Související odkazy
- řada: UniFET MOSFET FDP5N50NZ Typ N-kanálový 4.5 A 500 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení Jednoduchý
- řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 4.5 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 4.5 A 600 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET FDPF6N60ZUT Typ N-kanálový 4.5 A 600 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET FDPF5N50FT Typ N-kanálový 4.5 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET FDPF5N50NZ Typ N-kanálový 4.5 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 15 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení