řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 61 A 200 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 145-5356
- Výrobní číslo:
- FDP61N20
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 682,55 Kč
(bez DPH)
2 035,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 50 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 33,651 Kč | 1 682,55 Kč |
| 100 + | 31,636 Kč | 1 581,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 145-5356
- Výrobní číslo:
- FDP61N20
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 61A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | UniFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 41mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 417W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 58nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.4V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 61A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada UniFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 41mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 417W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 58nC | ||
Přímé napětí Vf 1.4V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UniFET™ je řada Fairchild Semiconductor s vysokým napětím MOSFET. Má nejmenší odpor na stavu mezi planetovými tranzistory MOSFET a poskytuje také vynikající spínací výkon a vyšší energii laviny. Navíc vnitřní elektrostatická dioda zdroje hradla umožňuje tranzistoru MOSFET UniFET-II™ MOSFET odolávat přepětí 2000 V HBM.
Tranzistory MOSFET™ UniFET™ jsou vhodné pro aplikace přepínání převodových převodníků, jako jsou korekce účiníku (PFC), TV s plochým panelem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) a předřadníky elektronických světel.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: UniFET MOSFET FDP61N20 Typ N-kanálový 61 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 39 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET FDPF39N20 Typ N-kanálový 39 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 15 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 51 A 250 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 55 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 22 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení