AEC-Q101, řada: BVSS8L MOSFET Typ P-kanálový 130 mA 50 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 184-4197
- Výrobní číslo:
- BVSS84LT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
6 132,00 Kč
(bez DPH)
7 419,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
- 18 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 2,044 Kč | 6 132,00 Kč |
| 9000 - 42000 | 1,752 Kč | 5 256,00 Kč |
| 45000 - 96000 | 1,682 Kč | 5 046,00 Kč |
| 99000 + | 1,639 Kč | 4 917,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 184-4197
- Výrobní číslo:
- BVSS84LT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 130mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 50V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | BVSS8L | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 225mW | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3.04mm | |
| Výška | 1.01mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 130mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 50V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada BVSS8L | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 225mW | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.2nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3.04mm | ||
Výška 1.01mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Budicí MOSFET pro automobilový průmysl je ideální pro aplikace s nízkým výkonem. -50 V -130 mA 10 ohmů, jednokanálový SOT-23 úroveň logiky. Možnost PPAP vhodná pro automobilové aplikace.
Kvalifikováno AEC
Možnost PPAP
Miniaturní sada SOT-23 pro povrchovou montáž - Prostor na desce
Automobilový MOSFET
Aplikace
Měniče DC/DC
Zatěžovací spínací
Správa napájení v přenosných a bateriových produktech, jako jsou počítače, tiskárny, mobilní a bezdrátové telefony
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 2.4 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTR4502PT1G Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení