MOSFET NTR4101PT1G Typ P-kanálový 2.4 A 20 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 688-9152
- Výrobní číslo:
- NTR4101PT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
15,31 Kč
(bez DPH)
18,526 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 16 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
- Plus 148 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 8 614 jednotka(y) budou odesílané od 04. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 7,655 Kč | 15,31 Kč |
| 20 - 198 | 6,67 Kč | 13,34 Kč |
| 200 - 998 | 5,805 Kč | 11,61 Kč |
| 1000 - 1998 | 5,065 Kč | 10,13 Kč |
| 2000 + | 4,57 Kč | 9,14 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 688-9152
- Výrobní číslo:
- NTR4101PT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 85mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8 V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 730mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.94mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.3 mm | |
| Délka | 2.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 85mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8 V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 730mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.94mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.3 mm | ||
Délka 2.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- Ne MOSFET Typ P-kanálový 2.4 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne MOSFET Typ N-kanálový 2.4 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne MOSFET NTR4170NT1G Typ N-kanálový 2.4 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 2.4 A 12 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
