řada: PowerTrench MOSFET FDN302P Typ P-kanálový 2.4 A 20 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

67,68 Kč

(bez DPH)

81,895 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 3 280 jednotka(y) budou odesílané od 04. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 513,536 Kč67,68 Kč
10 - 9510,028 Kč50,14 Kč
100 - 9956,224 Kč31,12 Kč
1000 - 29954,446 Kč22,23 Kč
3000 +3,458 Kč17,29 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0400
Výrobní číslo:
FDN302P
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.4A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Typ balení

SOT-23

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

55mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

9nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

500mW

Přímé napětí Vf

-1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

0.94mm

Délka

2.92mm

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy