AEC-Q101, řada: BSS84L MOSFET BSS84LT1G Typ P-kanálový 130 mA 50 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 463-329
- Výrobní číslo:
- BSS84LT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 100 kusech)*
201,60 Kč
(bez DPH)
243,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 02. června 2026
- Plus 25 500 jednotka(y) budou odesílané od 09. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 2,016 Kč | 201,60 Kč |
| 500 - 900 | 1,736 Kč | 173,60 Kč |
| 1000 + | 1,507 Kč | 150,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 463-329
- Výrobní číslo:
- BSS84LT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 130mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 50V | |
| Řada | BSS84L | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 225mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 0.94mm | |
| Délka | 2.9mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 130mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 50V | ||
Řada BSS84L | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 225mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.2nC | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 0.94mm | ||
Délka 2.9mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 2.4 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTR4502PT1G Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
