MOSFET NTR4502PT1G Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 773-7897
- Výrobní číslo:
- NTR4502PT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
48,91 Kč
(bez DPH)
59,18 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 5 810 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 4,891 Kč | 48,91 Kč |
| 100 - 240 | 4,199 Kč | 41,99 Kč |
| 250 - 490 | 3,656 Kč | 36,56 Kč |
| 500 - 990 | 3,211 Kč | 32,11 Kč |
| 1000 + | 2,939 Kč | 29,39 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 773-7897
- Výrobní číslo:
- NTR4502PT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 350mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.25W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 2.9mm | |
| Výška | 1mm | |
| Šířka | 1.3 mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 350mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.25W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 2.9mm | ||
Výška 1mm | ||
Šířka 1.3 mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET FDC6306P Typ P-kanálový 1.9 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: FDN357N MOSFET Typ N-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDN357N MOSFET FDN357N Typ N-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 2.4 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
