řada: PowerTrench MOSFET FDC6306P Typ P-kanálový 1.9 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 761-9834
- Výrobní číslo:
- FDC6306P
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
127,95 Kč
(bez DPH)
154,82 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 030 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 12,795 Kč | 127,95 Kč |
| 100 - 240 | 11,066 Kč | 110,66 Kč |
| 250 - 490 | 9,584 Kč | 95,84 Kč |
| 500 - 990 | 8,423 Kč | 84,23 Kč |
| 1000 + | 7,657 Kč | 76,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 761-9834
- Výrobní číslo:
- FDC6306P
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 270mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Přímé napětí Vf | -0.8V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 960mW | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.7mm | |
| Výška | 1mm | |
| Délka | 3mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 270mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Přímé napětí Vf -0.8V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 960mW | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.7mm | ||
Výška 1mm | ||
Délka 3mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTR4502PT1G Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 2 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 3 A 60 V onsemi počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 2.6 A 12 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 1.3 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 5.5 A 20 V onsemi počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení