řada: FDN357N MOSFET FDN357N Typ N-kanálový 1.9 A 30 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

50,39 Kč

(bez DPH)

60,97 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 580 jednotka(y) budou odesílané od 12. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4510,078 Kč50,39 Kč
50 - 958,694 Kč43,47 Kč
100 - 4957,508 Kč37,54 Kč
500 - 9956,62 Kč33,10 Kč
1000 +6,026 Kč30,13 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0441
Výrobní číslo:
FDN357N
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

1.9A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SOT-23

Řada

FDN357N

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

600mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

500mW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

4.2nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

0.94mm

Délka

2.92mm

Normy/schválení

No

Šířka

1.4 mm

Automobilový standard

Ne

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor


Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy