řada: FDN357N MOSFET FDN357N Typ N-kanálový 1.9 A 30 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 671-0441
- Výrobní číslo:
- FDN357N
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
61,26 Kč
(bez DPH)
74,125 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 210 jednotka(y) budou odesílané od 02. června 2026
- Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 22. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 12,252 Kč | 61,26 Kč |
| 50 - 95 | 10,572 Kč | 52,86 Kč |
| 100 - 495 | 9,188 Kč | 45,94 Kč |
| 500 - 995 | 8,052 Kč | 40,26 Kč |
| 1000 + | 7,36 Kč | 36,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 671-0441
- Výrobní číslo:
- FDN357N
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | FDN357N | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 600mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500mW | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 2.92mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 0.94mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada FDN357N | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 600mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500mW | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 2.92mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 0.94mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: FDN357N MOSFET Typ N-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTR4502PT1G Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET FDC6306P Typ P-kanálový 1.9 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 1.9 A 100 V DiodesZetex počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: BSH108 MOSFET Typ N-kanálový 1.9 A 30 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: BSH108 MOSFET BSH108 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení