řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SI2308BDS-T1-E3 Typ N-kanálový 2.3 A 60 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 180-7752
Výrobní číslo:: SI2308BDS-T1-E3
Výrobce:: Vishay

řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SI2308BDS-T1-E3 Typ N-kanálový 2.3 A 60 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*

207,00 Kč

(bez DPH)

250,40 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Výroba končí

Posledních 1 340 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za balení*
20 +	10,35 Kč	207,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 180-7752
Výrobní číslo:: SI2308BDS-T1-E3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	2.3A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	SOT-23
	Řada	TrenchFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	0.192Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.66W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	2.3nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	3.04mm
	Výška	1.12mm
	Normy/schválení	IEC 61249-2-21
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.3A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení SOT-23
	Řada TrenchFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 0.192Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.66W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.3nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 3.04mm
	Výška 1.12mm
	Normy/schválení IEC 61249-2-21
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Vishay

Vishay povrchová montáž N-channel MOSFET je nový věkový produkt s odvodem-zdroj napětí 60V a maximální hradlo-zdroj napětí 20V. Má odpor zdroje vypouštění 156mohm při napětí hradla-zdroje 10V. Má maximální jmenovitý výkon 1,66 W a trvalý proud vypouštění 2,3A. Minimální a maximální napájecí napětí pro tento tranzistor je 4.5V a 10V příslušně. MOSFET byl optimalizován pro nižší spínání a ztráty vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• Bez halogenů

• olovo (Pb) zdarma

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.

• TrenchFET napájení MOSFET

Aplikace

• Spínač baterie

• převodník DC/DC

Certifikace

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• testováno RG

• UIS testován