řada: TrenchFET MOSFET SI2300DS-T1-GE3 Typ N-kanálový 3.6 A 30 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 180-7944
Výrobní číslo:: SI2300DS-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: TrenchFET MOSFET SI2300DS-T1-GE3 Typ N-kanálový 3.6 A 30 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

80,85 Kč

(bez DPH)

97,825 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 4 625 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za balení*
25 +	3,234 Kč	80,85 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 180-7944
Výrobní číslo:: SI2300DS-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	3.6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Řada	TrenchFET
	Typ balení	SOT-23
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	68mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	3nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	12 V
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.1W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1.12mm
	Délka	3.04mm
	Normy/schválení	No
	Šířka	2.64 mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Řada TrenchFET
	Typ balení SOT-23
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 68mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 3nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 12 V
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.1W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1.12mm
	Délka 3.04mm
	Normy/schválení No
	Šířka 2.64 mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Vishay

Vishay povrchová montáž N-kanál MOSFET je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 30V a maximální hradlo-zdroj napětí 12V. Má odpor zdroje vypouštění 68mohm při napětí hradla 4.5V. Má maximální ztrátový výkon 1,7 W a trvalý vypouštěcí proud 3,6 A. Minimální a maximální napájecí napětí pro tento tranzistor jsou 2.5V a 4.5V příslušně. MOSFET byl optimalizován pro nižší spínání a ztráty vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• Bez halogenů

• olovo (Pb) zdarma

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.

• TrenchFET napájení MOSFET

Aplikace

• převodník DC/DC pro přenosná zařízení

• Spínač zátěže

Certifikace

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• testováno RG