řada: TrenchFET MOSFET SI2301CDS-T1-E3 Typ P-kanálový 3.1 A 20 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 180-7719
- Výrobní číslo:
- SI2301CDS-T1-E3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
246,00 Kč
(bez DPH)
297,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Omezený stav zásob
- 50 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 9,84 Kč | 246,00 Kč |
| 250 - 600 | 9,653 Kč | 241,33 Kč |
| 625 - 1225 | 6,689 Kč | 167,23 Kč |
| 1250 - 2475 | 5,039 Kč | 125,98 Kč |
| 2500 + | 4,318 Kč | 107,95 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-7719
- Výrobní číslo:
- SI2301CDS-T1-E3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 112mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.04mm | |
| Výška | 1.12mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 112mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.04mm | ||
Výška 1.12mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Vishay
Vishay povrchová montáž P-kanál MOSFET je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 20V a maximální hradlo-zdroj napětí 8V. Má odpor zdroje vypouštění 112mohm při napětí hradla-zdroj 4.5V. Má trvalý vypouštěcí proud 3,1A a maximální rozptyl výkonu 1,6W. Minimální a maximální napájecí napětí pro tento tranzistor jsou 2.5V a 4.5V příslušně. Má aplikaci v zátěžových přepínačích pro přenosná zařízení. MOSFET byl optimalizován pro nižší spínání a ztráty vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.
Charakteristiky a výhody
• Bez halogenů
• olovo (Pb) zdarma
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.
• TrenchFET napájení MOSFET
Certifikace
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 3.1 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2301CDS MOSFET SI2301CDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.3 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2392ADS-T1-GE3 Typ N-kanálový 3.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2301HDS-T1-GE3 P-kanál-kanálový -3.1 A -20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2301CDS MOSFET Typ P-kanálový 2.3 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 3.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI4948BEY-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.1 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 3.1 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Izolovaný