řada: TrenchFET MOSFET SI2301HDS-T1-GE3 P-kanál-kanálový -3.1 A -20 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 735-212
- Výrobní číslo:
- SI2301HDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
4,20 Kč
(bez DPH)
5,08 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 20. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 24 | 4,20 Kč |
| 25 - 99 | 2,72 Kč |
| 100 - 499 | 1,98 Kč |
| 500 + | 1,73 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 735-212
- Výrobní číslo:
- SI2301HDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -3.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -20V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.142Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.6W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -3.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -20V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.142Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.6W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- IL
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SI2392ADS-T1-GE3 Typ N-kanálový 3.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI4948BEY-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.1 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 3.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 3.1 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: TrenchFET MOSFET SI2318HDS-T1-GE3 N kanál-kanálový 5.6 A 40 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2302HDS-T1-GE3 N kanál-kanálový 2.6 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI3421DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si3129DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.4 A 80 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení