řada: Si2301CDS MOSFET SI2301CDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.3 A 20 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 919-0250
- Výrobní číslo:
- SI2301CDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 919-0250
- Výrobní číslo:
- SI2301CDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | Si2301CDS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 112mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 860mW | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.02mm | |
| Délka | 3.04mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada Si2301CDS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 112mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 860mW | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.02mm | ||
Délka 3.04mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: Si2301CDS MOSFET SI2301CDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.3 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2301CDS-T1-E3 Typ P-kanálový 3.1 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 3.1 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2308BDS Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 2.3 A 60 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2333DDS MOSFET Typ P-kanálový 6 A 12 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2305CDS MOSFET Typ P-kanálový 4.4 A 8 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení