řada: OptiMOS 5 MOSFET N-kanálový 100 A 60 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 178-7484
Výrobní číslo:: BSC039N06NSATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS 5 MOSFET N-kanálový 100 A 60 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

72 025,00 Kč

(bez DPH)

87 150,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 10 000 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	14,405 Kč	72 025,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 178-7484
Výrobní číslo:: BSC039N06NSATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	100A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	TDSON
	Řada	OptiMOS 5
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	5.9mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	69W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	27nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	5.35mm
	Normy/schválení	No
	Výška	1.1mm
	Délka	6.1mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení TDSON
	Řada OptiMOS 5
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 5.9mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 69W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 27nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 5.35mm
	Normy/schválení No
	Výška 1.1mm
	Délka 6.1mm
	Automobilový standard Ne

BSC039N06NS OptiMOS Power-Transistor

Výjimka

MOSFET Infineon OptiMOS řady 5, maximální zdrojové napětí vypouštění 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A – BSC039N06NSATMA1

Tento MOSFET je kompaktní N-kanálové spínací zařízení navržené pro vysokoproudé napájecí aplikace, které nabízí robustní provoz v širokém rozsahu teplot. Je určen pro montáž na povrch a zajišťuje efektivní vodivost a spínací výkon pro náročné elektronické systémy.

Charakteristiky a výhody:

• Velmi nízký odpor při zapnutí 5.9 mΩ umožňuje snížení ztrát při vedení
• Vysoký nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A podporující manipulaci s velkým zatížením
• Jmenovité napětí odtoku-zdroje 60 V pro robustní napěťový prostor
• Nízký náboj hradla 27 nC umožňuje rychlejší spínání a nižší energii pohonu
• Maximální ztrátový výkon 69 W umožňující trvalé tepelné zatížení

Aplikace

• Vhodné pro synchronní snižovací měniče v napájecích zdrojích
• Ideální pro stupně pohonu motoru vyžadující vysoký nepřetržitý proud
• Používá se s měničem DC/DC v telekomunikačních zařízeních
• Lze použít pro moduly rozvodu napájení serverů a datových center
• Vhodné pro průmyslové spínací a řídicí jednotky napájení

Jaké tepelné extrémy může zařízení tolerovat při provozu?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích.

Jaké pouzdro a způsob montáže vyžaduje pro montáž desky?

Součást je dodávána v 8kolíkovém pouzdru TDSON určeném pro montáž na povrch a pájení přetavením.

Co je režim kanálu a jak ovlivňuje spínání?

Používá konfiguraci N-kanálu s režimem zesílení, která pro vedení vyžaduje kladný pohon hradla-zdroje, a nabízí kompatibilitu s konvenční spínací topologií na nízké a vysoké straně.

Jaký limit napětí hradlového pohonu je třeba při návrhu dodržovat?

Maximální přípustné napětí mezi bránou a zdrojem je 20 V a konstrukce by měly udržovat výkyvy brány v rámci této prahové hodnoty, aby se zabránilo poškození.