AEC-Q101, řada: TrenchFET MOSFET SQ2364EES-T1_GE3 Typ N-kanálový 2 A 60 V Vishay Siliconix, SOT-23, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 178-3877
- Výrobní číslo:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
325,80 Kč
(bez DPH)
394,225 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 250 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 3 025 jednotka(y) budou odesílané od 05. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 13,032 Kč | 325,80 Kč |
| 100 - 475 | 9,208 Kč | 230,20 Kč |
| 500 - 975 | 7,687 Kč | 192,18 Kč |
| 1000 + | 6,521 Kč | 163,03 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-3877
- Výrobní číslo:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay Siliconix | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 600mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.02mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.04mm | |
| Šířka | 1.4 mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay Siliconix | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 600mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.02mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.04mm | ||
Šířka 1.4 mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výjimka
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Univerzální tranzistor MOSFET Vishay je nový věkový produkt s výstupním napětím 60 V a maximálním zdrojovým napětím 8 V. Má odpor odvodňovacího zdroje 240m2 při vstupním napětí hradla 4,5 V. Má maximální rozptyl výkonu 3 W a nepřetržitý odvodňovací proud 2 A. Má minimální a maximální jízdní napětí 1,5 V a 4,5 V. Používá se v automobilových aplikacích. MOSFET byl optimalizován pro snížení ztrát při přepínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.
Charakteristiky a výhody
• Bez halogenů
• bez olova (Pb)
• Provozní teplota se pohybuje mezi -55 °C a 175 °C.
• TrenchyFET napájení MOSFET
Osvědčení
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Zkouší se hodnota Rg
• Zkouška UIS