AEC-Q101, řada: TrenchFET MOSFET SQA401EEJ-T1_GE3 Typ P-kanálový 2.68 A 20 V Vishay Siliconix, SC-70, počet kolíků: 6
- Skladové číslo RS:
- 178-3886
- Výrobní číslo:
- SQA401EEJ-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
311,95 Kč
(bez DPH)
377,45 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 12,478 Kč | 311,95 Kč |
| 100 - 475 | 9,228 Kč | 230,70 Kč |
| 500 - 975 | 7,479 Kč | 186,98 Kč |
| 1000 + | 6,056 Kč | 151,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-3886
- Výrobní číslo:
- SQA401EEJ-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay Siliconix | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.68A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SC-70 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 200mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 13.6W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 2.2mm | |
| Výška | 1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.35 mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay Siliconix | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.68A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SC-70 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 200mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 13.6W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 2.2mm | ||
Výška 1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.35 mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výjimka
- Země původu (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
Související odkazy
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 6
- AEC-Q101 SC-70-6L, počet kolíků: 6
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-70-6L, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8
