AEC-Q101, řada: TrenchFET MOSFET SQJ872EP-T1_GE3 Typ N-kanálový 24.5 A 150 V Vishay Siliconix, SO-8, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 178-3903
- Výrobní číslo:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
284,54 Kč
(bez DPH)
344,29 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
- 2 920 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 28,454 Kč | 284,54 Kč |
| 100 - 490 | 24,157 Kč | 241,57 Kč |
| 500 - 990 | 21,341 Kč | 213,41 Kč |
| 1000 + | 18,50 Kč | 185,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-3903
- Výrobní číslo:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay Siliconix | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 24.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 55W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.07mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 5.99mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay Siliconix | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 55W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.07mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 5.99mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výjimka
- Země původu (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
Související odkazy
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení