AEC-Q101, řada: SQJ872EP MOSFET SQJ872EP-T1_GE3 N-kanálový 24.5 A 150 V Vishay Siliconix, SO-8L, počet kolíků: 8

Skladové číslo RS:: 178-3721
Výrobní číslo:: SQJ872EP-T1_GE3
Výrobce:: Vishay Siliconix

AEC-Q101, řada: SQJ872EP MOSFET SQJ872EP-T1_GE3 N-kanálový 24.5 A 150 V Vishay Siliconix, SO-8L, počet kolíků: 8

Momentálně nedostupné

Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.

Skladové číslo RS:: 178-3721
Výrobní číslo:: SQJ872EP-T1_GE3
Výrobce:: Vishay Siliconix

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay Siliconix
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	24.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds	150V
	Typ balení	SO-8L
	Řada	SQJ872EP
	Typ montáže	Montáž na plošný spoj
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.0395Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	55W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	14nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Délka	5.99mm
	Normy/schválení	RoHS
	Šířka	5mm
	Výška	1.07mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Vishay Siliconix
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds 150V
	Typ balení SO-8L
	Řada SQJ872EP
	Typ montáže Montáž na plošný spoj
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.0395Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 55W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Délka 5.99mm
	Normy/schválení RoHS
	Šířka 5mm
	Výška 1.07mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet

Výjimka

Země původu (Country of Origin):: CN

Tranzistor MOSFET řady Vishay SQJ872EP, zdrojové napětí vypouštění 150 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 24,5 A – SQJ872EP-T1_GE3

Tento MOSFET je napájecí spínací zařízení navržené pro vysokonapěťové vysokoproudé aplikace v náročných prostředích. Funguje jako tranzistor pro zesílení N-kanálu pro spínání a převod napájení. Zařízení je vhodné pro montáž na desku plošných spojů v malém pouzdru a je vyrobeno tak, aby splňovalo průmyslové environmentální standardy.

Charakteristiky a výhody:

• Nízký odpor při zapnutí 0,0395 Ω zajišťuje menší ztráty při vedení
• Vysoké napěťové napětí 150 V umožňující robustní spínací prostor
• Jmenovitý nepřetržitý proud 24,5 A podporující značné zatěžovací proudy
• Nabíjení hradla 14 nC umožňující efektivní ovládání spínání
• Rozptýlení výkonu 55 W umožňující udržitelnou tepelnou zátěž
• Široká tolerance hradla ±20 V zajišťuje flexibilní konstrukci ovladače hradla

Aplikace

• Vhodné pro automobilové výkonové stupně vyžadující shodu s normou AEC‐Q101
• Ideální pro průmyslová pole spínačů motorových pohonů
• Používá se s měničem DC/DC ve vysokonapěťových systémech
• Lze použít pro synchronní usměrňování v napájecích zdrojích
• Užitečné ve stupních přepínání měničů a předních částí UPS

Jaký teplotní rozsah může tolerovat v náročných instalacích?

Pracuje v rozšířeném rozsahu od -55 °C do 175 °C a podporuje extrémní průmyslové a automobilové teplotní podmínky.

Jaké pouzdro a montážní přístup používá pro montáž desky?

Zařízení je dodáváno v pouzdru SO‐8L navrženém pro montáž na desku plošných spojů, což zjednodušuje integraci do kompaktních sestav.

Jakým způsobem ovlivňuje jeho propojovací napětí konstrukci systému?

Pokles dopředu je za specifikovaných podmínek 1,2 V, který by měl být zahrnut do výpočtu ztrát výkonu a posouzení tepelného řízení.

Je zařízení vhodné pro regulované požadavky na výrobu a životní prostředí?

Splňuje směrnice RoHS, což naznačuje omezení specifických nebezpečných látek v materiálech součástí.