řada: 2N6661 MOSFET 2N6661 N-kanálový 350 mA 90 V Microchip, TO-39, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 177-9750
Výrobní číslo:: 2N6661
Výrobce:: Microchip

řada: 2N6661 MOSFET 2N6661 N-kanálový 350 mA 90 V Microchip, TO-39, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 jednotka)*

353,70 Kč

(bez DPH)

427,98 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

15 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Plus 55 jednotka(y) budou odesílané od 28. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku
1 +	353,70 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 177-9750
Výrobní číslo:: 2N6661
Výrobce:: Microchip

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Microchip
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	350mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	90V
	Typ balení	TO-39
	Řada	2N6661
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	5Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	6.25W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	900mV
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Šířka	9.398mm
	Výška	6.6mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Microchip
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 350mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 90V
	Typ balení TO-39
	Řada 2N6661
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 5Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 6.25W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 900mV
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Šířka 9.398mm
	Výška 6.6mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Technologie Microchip MOS

Technologie Microchip pro montáž do otvoru, N-channel MOSFET je nový věkový produkt s výstupním napětím 90 V a maximálním zdrojovým napětím brány 20 V. Odpor zdroje vypouštění je 4 Ω při napětí zdroje signálu zadní výklopné stěny 10 V. Má stálý vypouštěcí proud 350 mA a maximální rozptyl výkonu 6,25 W. Minimální a maximální budicí napětí pro tento MOSFET je 5 V a 10 V. MOSFET je režim vylepšení (normálně vypnutý) MOSFET, který využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces silikonových hradel. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení je pro všechny technicky náročné konstrukce MOS bez teplotního rozběhu a tepelně vyvolané druhotné poruchy. Tento vertikální DMOS FET byl optimalizován pro nižší ztráty spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• Soutěž

• Vynikající tepelná stabilita

• Bez sekundárního členění

• Vysoká vstupní impedance a vysoké zesílení

• Integrovaná dioda pro odvádění vody

• Nízká rychlost otáčení a rychlé přepínání

• Požadavek jednotky s nízkým výkonem

• Provozní teplota se pohybuje mezi -55 °C a 150 °C.

Aplikace

• Zesilovače

• Konvertory

• Ovladače: Relé, kladiva, elektromagnetické ventily, lampy, paměti, displeje, bipolární tranzistory atd.

• Ovládání motorů

• Elektrické obvody napájení

• Spínače

Osvědčení

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007