řada: TN0110 MOSFET TN0110N3-G N-kanálový 350 mA 100 V, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Microchip Vylepšení 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 177-9690
- Výrobní číslo:
- TN0110N3-G
- Výrobce:
- Microchip
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 177-9690
- Výrobní číslo:
- TN0110N3-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Řada | TN0110 | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 350 mA | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 100 V | |
| Typ balení | TO-92 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Přímé napětí (Vf) | 1.5 V | |
| Výška | 5.33 mm | |
| Délka | 5.08 mm | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 4.5 Ω | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 150 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 1 W | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Šířka | 4.06 mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Řada TN0110 | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 350 mA | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 100 V | ||
Typ balení TO-92 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Přímé napětí (Vf) 1.5 V | ||
Výška 5.33 mm | ||
Délka 5.08 mm | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 4.5 Ω | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) 20 V | ||
Maximální provozní teplota 150 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 1 W | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Šířka 4.06 mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TW
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold - 2.0V max.
High input impedance
Low input capacitance - 50pF typical
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
Související odkazy
- řada: TN0110 MOSFET TN0110N3-G N-kanálový 350 mA 100 V počet kolíků: 3 kolíkový Microchip Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: VN0106 MOSFET N-kanálový 350 A 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: VN0106 MOSFET VN0106N3-G N-kanálový 350 A 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 3 A Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET TP0606N3-G N-kanálový 3 A Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 230 mA 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 190 mA 240 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DN2535 MOSFET N-kanálový 120 mA 350 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání