řada: VN0106 MOSFET Typ N-kanálový 350 A 60 V Microchip, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 264-8940
- Výrobní číslo:
- VN0106N3-G
- Výrobce:
- Microchip
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 sáček po 1000 kusech)*
13 575,00 Kč
(bez DPH)
16 426,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Za Sáček* |
|---|---|---|
| 1000 + | 13,575 Kč | 13 575,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-8940
- Výrobní číslo:
- VN0106N3-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 350A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-92 | |
| Řada | VN0106 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 350A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-92 | ||
Řada VN0106 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
P-kanálový tranzistor MOSFET Microchip s nízkou prahovou hodnotou a režimem vylepšení (normálně vypnutý) využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovými hradly. Tato kombinace vytváří zařízení s funkcemi řízení napájení bipolárních tranzistorů a vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem inherentním u zařízení MOS. Charakteristické pro všechny konstrukce MOS, toto zařízení je bez tepelného úniku a sekundárního rozkladu vyvolaného teplem. Svislé tranzistory DMOS FET jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno velmi nízké prahové napětí, vysoké přerušovací napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.
Bez sekundárního porušení
Požadavky na nízkou spotřebu
Snadné paralelizování
Nízké CISS a rychlé spínací rychlosti
Vynikající tepelná stabilita
Integrovaná dioda zdroje-odtoku
Vysoká vstupní impedance a vysoký zisk
Související odkazy
- řada: VN0106 MOSFET VN0106N3-G Typ N-kanálový 350 A 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 3 A Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET TP0606N3-G Typ N-kanálový 3 A Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 250 mA 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 175 mA 40 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 230 mA 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 190 mA 240 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DN2535 MOSFET Typ N-kanálový 120 mA 350 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání