Napájecí modul SiC FFSP3065A 28 A, TO-220 onsemi, počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 172-8971
- Výrobní číslo:
- FFSP3065A
- Výrobce:
- onsemi
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 172-8971
- Výrobní číslo:
- FFSP3065A
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | Napájecí modul SiC | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 28A | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 240W | |
| Přímé napětí Vf | 2.4V | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 16.51mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu Napájecí modul SiC | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 28A | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 240W | ||
Přímé napětí Vf 2.4V | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 16.51mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Schottkyho dioda z karbidu křemíku (SiC) – EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L
Schottkyho dioda z karbidu křemíku (SiC) – EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L
Dioda on Semiconductor TO-220-2L karbidu křemíku (SiC) Schottky je nejnovějším výrobkem, který využívá zcela novou technologii, která zajišťuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost pro silikon. Dioda má mnoho Advanced funkcí, jako jsou teplotní nezávislé spínací vlastnosti a vynikající tepelný výkon, díky němuž je bezpochyby příští generací výkonových polovodičových součástek. Tato dioda nabízí mnoho výhod, které zahrnují nejvyšší efektivitu, rychlejší faster, vyšší hustotu energie, sníženou EMI a sníženou velikost a náklady systému.
Charakteristiky a výhody
• Avalanche dimenzovaný na 180mJ
• Soutěž
• Vysoký proudový proud
• Žádná zpětná obnova/žádná dopředná obnova
• Provozní teplota se pohybuje mezi -55 °C a 175 °C.
• Koeficient kladné teploty
Aplikace
• Přídač EV
• Obecný účel
• Průmyslový výkon
• PFC
• Elektrické obvody spínání napájení
• SMPS
• Solární převodník
• UPS
• Svařování
Osvědčení
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
Související odkazy
- Napájecí modul SiC 28 A počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- Napájecí modul SiC 900 V, F1-2PACK onsemi
- Napájecí modul SiC 1200 V, F1-2PACK onsemi
- Napájecí modul SiC NXH010P120MNF1PTG 1200 V, F1-2PACK onsemi
- Napájecí modul SiC NXH010P90MNF1PTG 900 V, F1-2PACK onsemi
- Power Integrations Schottkyho SiC Jednoduchý 12 A 600 V počet kolíků: 2 kolíkový
- Power Integrations Schottkyho SiC QH12TZ600Q Jednoduchý 12 A 600 V počet kolíků: 2 kolíkový
- Napájecí modul SiC Typ N-kanálový 36 A 12 V Littelfuse počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení