řada: E MOSFET Typ N-kanálový 19 A 500 V Vishay, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 25 kusech)*

1 167,025 Kč

(bez DPH)

1 412,10 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 225 jednotka(y) budou odesílané od 06. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
25 +46,681 Kč1 167,03 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
169-5791
Výrobní číslo:
SIHG20N50E-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

19A

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Typ balení

TO-247

Řada

E

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

180mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

46nC

Maximální ztrátový výkon Pd

179W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Přímé napětí Vf

-1.2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

20.82mm

Šířka

5.31 mm

Délka

15.87mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, řada E, nízkoúrovňový polovodičový systém Vishay Semiconductor


Výkonové tranzistory MOSFET řady E od Vishay jsou tranzistory s vysokým napětím, které obsahují mimořádně nízký maximální odpor, nízké hodnoty výkonu a rychlé přepínání. Jsou k dispozici v široké škále aktuálních hodnocení. Mezi typické aplikace patří servery a telekomunikační napájecí zdroje, osvětlení LED, konvertory flyback, korekce účiníku (PFC) a napájecí zdroje v režimu přepínání (SMPS).

Charakteristiky


Nízká kvalita (FOM) RDS(on) x QG

Nízká vstupní kapacita (Ciss)

Nízká odolnost (RDS(on))

Mimořádně nízké nabití zadní výklopné stěny (QG)

Rychlé spínání

Snížené ztráty ve spínaní a vedení

Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy