řada: E Výkonový MOSFET SIHG20N50E-GE3 N-kanálový 19 A 500 V Vishay, TO-247AC, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 169-5791
Výrobní číslo:: SIHG20N50E-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: E Výkonový MOSFET SIHG20N50E-GE3 N-kanálový 19 A 500 V Vishay, TO-247AC, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 tuba po 25 kusech)*

1 563,50 Kč

(bez DPH)

1 891,75 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 150 jednotka(y) budou odesílané od 06. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
25 +	62,54 Kč	1 563,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 169-5791
Výrobní číslo:: SIHG20N50E-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	19A
	Maximální napětí na zdroji Vds	500V
	Řada	E
	Typ balení	TO-247AC
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	184mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	179W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-30V, +30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	46nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Šířka	5.31mm
	Výška	20.82mm
	Délka	15.87mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 19A
	Maximální napětí na zdroji Vds 500V
	Řada E
	Typ balení TO-247AC
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 184mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 179W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -30V, +30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 46nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Šířka 5.31mm
	Výška 20.82mm
	Délka 15.87mm
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, napětí zdroje vypouštění 500 V, nepřetržitý vypouštění proudu 19 A – SIHG20N50E-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové zesilovací zařízení s N-kanálem určené pro aplikace s převodem výkonu a spínáním. Nabízí robustní spínací schopnost vhodnou pro montáž do průchozího otvoru v konvenčních sestavách a pracuje v širokém rozsahu okolních teplot pro náročné elektronické prostředí.

Charakteristiky a výhody:

• Kapacita vypouštění 500 V podporuje vysokonapěťové napájecí stupně
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 19 A umožňuje zvládnutí značné zátěže
• Rozptýlení výkonu 179 W umožňuje provoz s vysokým výkonem
• Maximální hodnota RDS(on) 184 mΩ minimalizuje ztráty při vedení
• Typický náboj hradla 46 nC snižuje spínací řídicí energii
• Maximální jmenovitá hodnota hradla 30 V umožňuje standardní napětí pohonu hradla

Aplikace

• Vhodné pro výkonové elektronické tranzistory MOSFET pro spínání napájecích zdrojů
• Ideální pro sestavy výkonových tranzistorů TO-247 s průchozím otvorem 500 V
• Používá se s vysokonapěťovými měniči a fázemi motorového pohonu
• Lze použít pro průmyslové napájecí zdroje a měniče
• Používá se pro starší opravy průchozích otvorů a prototypové desky

Jaké jsou tepelné limity pro nasazení v horkém prostředí?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje provoz v systémech s vysokou teplotou.

Jaký způsob montáže je vyžadován pro spolehlivou instalaci?

Zařízení používá montáž do průchozího otvoru v pouzdru TO-247AC, kompatibilní se standardními vlnovými nebo ručními pájecími procesy a uspořádáním chladičů.

Jaké úvahy o pohonu hradla bych měl při návrhu připustit?

Konstrukce pro maximální jmenovité napětí hradla-zdroje 30 V a zohledňuje typický náboj hradla 46 nC při velikosti obvodů pohonu.

Jak díl splňuje omezení materiálu pro výrobu?

Je v souladu s RoHS a splňuje požadavky na omezení materiálů pro environmentální předpisy.