řada: E MOSFET Typ N-kanálový 35 A 650 V Vishay, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 228-2863
- Výrobní číslo:
- SiHG080N60E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 tuba po 25 kusech)*
1 092,025 Kč
(bez DPH)
1 321,35 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 425 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 25 + | 43,681 Kč | 1 092,03 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-2863
- Výrobní číslo:
- SiHG080N60E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 35A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | E | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 227W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 35A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada E | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 227W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET řady Vishay E redukuje ztráty při spínání a vedení.
Nízký parametr Ron x Qg (FOM)
Nízká efektivní kapacita (co(er))
Související odkazy
- řada: E MOSFET SiHG080N60E-GE3 Typ N-kanálový 35 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 35 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHP080N60E-GE3 Typ N-kanálový 35 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET Typ N-kanálový 35 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET Typ N-kanálový 35 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R057M1HXKSA1 Typ N-kanálový 35 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R057M1HXKSA1 Typ N-kanálový 35 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 16.3 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení