řada: SiHG22N60EF MOSFET SIHG22N60EF-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-4877
- Výrobní číslo:
- SIHG22N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (25 jednotky/-ek, do tubusu po 25 ks)*
1 509,08 Kč
(bez DPH)
1 825,98 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 425 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 60,363 Kč | 1 509,08 Kč |
| 50 - 100 | 56,741 Kč | 1 418,53 Kč |
| 125 + | 51,308 Kč | 1 282,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-4877
- Výrobní číslo:
- SIHG22N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 19A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | SiHG22N60EF | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 182mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 179W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.31mm | |
| Délka | 15.87mm | |
| Výška | 20.82mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 19A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada SiHG22N60EF | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 182mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 179W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.31mm | ||
Délka 15.87mm | ||
Výška 20.82mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET řady EF s diodou rychlého tělesa.
Nízký parametr Ron x Qg (FOM)
Nízká vstupní kapacita (Ciss)
Snížené ztráty ve spínaní a vedení
APLIKACE
Serverové a telekomunikační napájecí zdroje
Spínané napájecí zdroje (SMPS)
Napájecí zdroje s kompenzací účiníku (PFC)
Související odkazy
- řada: SiHG22N60EF MOSFET SIHG22N60EF-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SIHFPS40N60K-GE3 N-kanálový 40 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHG039N60EF MOSFET SIHG039N60EF-GE3 N-kanálový 61 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHG30N60E-GE3 N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHG70N60EF-GE3 N-kanálový 70 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHG33N60EF-GE3 N-kanálový 33 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHG47N60E-GE3 N-kanálový 47 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SiHG186N60EF-GE3 N-kanálový 8.4 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení