řada: HiperFET, Polar3 MOSFET IXFN110N60P3 Typ N-kanálový 90 A 600 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 10 kusech)*

8 523,23 Kč

(bez DPH)

10 313,11 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 60 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
10 +852,323 Kč8 523,23 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-4756
Výrobní číslo:
IXFN110N60P3
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

90A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

HiperFET, Polar3

Typ balení

SOT-227

Typ montáže

Panel

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

56mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.5V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

1.5kW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

245nC

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

9.6mm

Šířka

25.07 mm

Délka

38.23mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
US

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Polar3™


Řada výkonových tranzistorů MOSFET řady IXYS Polar3™ s nadřízeným výstupem (N-channel) a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™)

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy