řada: HiperFET, Polar3 MOSFET IXFN80N60P3 Typ N-kanálový 66 A 600 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 10 kusech)*

6 817,45 Kč

(bez DPH)

8 249,11 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 220 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
10 - 10681,745 Kč6 817,45 Kč
20 - 40654,476 Kč6 544,76 Kč
50 +634,024 Kč6 340,24 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-4759
Výrobní číslo:
IXFN80N60P3
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

66A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

HiperFET, Polar3

Typ balení

SOT-227

Typ montáže

Panel

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

70mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.5V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

190nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Maximální ztrátový výkon Pd

960W

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

38.23mm

Výška

9.6mm

Šířka

25.07 mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
US

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Polar3™


Řada výkonových tranzistorů MOSFET řady IXYS Polar3™ s nadřízeným výstupem (N-channel) a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™)

Tranzistory MOSFET, IXYS


Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS

Související odkazy