řada: HiperFET MOSFET Typ N-kanálový 90 A 850 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

1 397,22 Kč

(bez DPH)

1 690,64 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 1 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
1 - 11 397,22 Kč
2 - 41 369,12 Kč
5 +1 327,63 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
146-4386
Číslo zboží společnosti Distrelec:
302-53-382
Výrobní číslo:
IXFN90N85X
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

90A

Maximální napětí na zdroji Vds

850V

Řada

HiperFET

Typ balení

SOT-227

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

41mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

340nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

1.2kW

Přímé napětí Vf

1.4V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

9.6mm

Šířka

25.07 mm

Délka

38.23mm

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET 850V Ultra-Junction třídy X s rychlými diodami představují novou produktovou řadu výkonových polovodičů od společnosti IXYS. Tato robustní zařízení se vyznačují nejnižším odporem v zapnutém stavu z celého odvětví a umožňují tak vysokou výkonovou hustotu ve vysokonapěťových aplikacích pro převod napájení. Tato nová 850V zařízení byla vyvinuta s využitím principu kompenzace náboje a patentované technologie zpracování. Vyznačují se nejnižšími odpory v zapnutém stavu (např. 33 mΩ v provedení SOT-227 a 41 mΩ v provedení PLUS264) a také nízkými náboji řídicí elektrody a špičkovým výkonem dv/dt.

Mimořádně nízký odpor při zapnutí RDS(on) a náboj řídicí elektrody Qg

Rychlá dioda

Odolnost dv/dt

Lavinová funkčnost

Nízká indukčnost součástky

Provedení podle mezinárodních norem

Související odkazy