řada: HiperFET MOSFET IXFN170N65X2 Typ N-kanálový 170 A 650 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Společnost IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS), globální výrobce výkonových polovodičů a integrovaných obvodů pro energetické úspory, řízení napájení, přepravu, zdravotnictví a řízení motorů, oznamuje rozšíření svojí produktové řady výkonových tranzistorů MOSFET Ultra Junction: výkonové tranzistory MOSFET 650V X2-Class s rychlými diodami. Díky nízkému odporu při zapnutí pouhých 17 miliohmů a jmenovitými hodnotami proudu 22 až 150 A jsou tato zařízení optimální pro aplikace s napájecími měniči s měkkým rezonančním spínáním. Rychlé diody HiPerFETs™ těchto tranzistorů MOSFET vykazují velmi měkké charakteristiky obnovení, což minimalizuje pře elektromagnetické rušení (EMI) zejména v můstkové a Full-Bridge topologii. Díky nízkému závěrnému náboji a krátké době obnovení lze diody použít k odvodu veškeré energie při vysokorychlostním spínání, a zabraňují tak poškození zařízení a zvyšují účinnost. Stejně jako ostatní tranzistory MOSFET Ultra Junction od společnosti IXYS byla tato nová zařízení vyvinuta s využitím principu kompenzace náboje a originální technologií zpracování; výsledkem jsou výkonové tranzistory MOSFET s výrazně nižším odporem při zapnutí a nábojem řídicí elektrody. Vykazují též vynikající charakteristiky dv/dt a odolnost vůči průrazu. Díky kladnému teplotnímu koeficientu odporu při zapnutí je lze používat v paralelním zapojení a vyhovět tak nárokům na vyšší hodnoty proudu. Mezi vhodné aplikace patří rezonanční napájecí zdroje, předřadník lampy s vysoce intenzivním výbojem (HID), řízení AC/DC motorů, měniče DC/DC, robotické systémy a servo řízení, nabíječky akumulátorů, tříúrovňové solární invertory nebo LED osvětlení. Nové výkonové tranzistory MOSFET 650V X2 s diodami HiPerFET™ jsou k dispozici v následujících rozměrech pouzder podle mezinárodních norem: TO-220, TO-263, SOT-227, TO-247, PLUS247, TO-264 a PLUS264. Mezi příklady patří č. dílů IXFA22N65X2, IXFH46N65X2, IXFK120N65X2 a IXFN150N65X2 se jmenovitým kolektorovým proudem 22 A, 34 A, 120 A resp. 145 A.

Nízké hodnoty RDS(ON) a Qg