AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 1.8 A 100 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 166-1014
- Výrobní číslo:
- BSP372NH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*
8 403,00 Kč
(bez DPH)
10 168,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 02. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 8,403 Kč | 8 403,00 Kč |
| 2000 - 2000 | 7,983 Kč | 7 983,00 Kč |
| 3000 + | 7,478 Kč | 7 478,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 166-1014
- Výrobní číslo:
- BSP372NH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 270mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.8W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.5mm | |
| Výška | 1.6mm | |
| Šířka | 3.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 270mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.8W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.5mm | ||
Výška 1.6mm | ||
Šířka 3.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IRFL MOSFET Typ P-kanálový 1.8 A 60 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFL MOSFET IRFL9014TRPBF Typ P-kanálový 1.8 A 60 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení