řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 18 A 40 V Infineon, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 165-5716
Výrobní číslo:: IRF7842TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 18 A 40 V Infineon, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*

46 908,00 Kč

(bez DPH)

56 760,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 14. října 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
4000 +	11,727 Kč	46 908,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-5716
Výrobní číslo:: IRF7842TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	18A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Řada	HEXFET
	Typ balení	SOIC
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	5.9mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	33nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	2.5W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	5mm
	Výška	1.5mm
	Normy/schválení	No
	Šířka	4mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Řada HEXFET
	Typ balení SOIC
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 5.9mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 33nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 5mm
	Výška 1.5mm
	Normy/schválení No
	Šířka 4mm
	Automobilový standard Ne

MOSFETy Infineon řady HEXFET, 18 A maximální trvalý vypouštěcí proud, 2,5 W maximální ztrátový výkon - IRF7842TRPBF

Tento MOSFET poskytuje vysoký výkon v různých elektronických aplikacích. Díky specifikacím, které zahrnují trvalý proud 18 A a maximální napětí 40 V, zvyšuje energetickou účinnost elektronických zařízení. Toto zařízení je určeno pro povrchovou montáž, zaručuje odolnost a je vhodné pro profesionály v oblasti elektroniky a automatizace.

Vlastnosti a výhody

• Nízký Rds(on) při 4,5 V zvyšuje účinnost

• Vysoká proudová zatížitelnost optimalizuje dodávku energie

• Minimální náboj hradla snižuje spínací ztráty

• Lavinová odolnost pro zvýšení spolehlivosti

• N-kanálová konfigurace podporuje efektivní výkon v řídicích aplikacích

Aplikace

• Používá se v synchronních obvodech MOSFET pro napájení procesorů notebooků

• Funguje jako sekundární synchronní usměrnění v izolovaných DC-DC měničích

• Funkce v neizolovaných konstrukcích měničů DC-DC

Jaká je maximální provozní teplota tohoto zařízení?

Pracuje efektivně až do +150 °C, což zajišťuje spolehlivost v prostředí s vysokými teplotami.

Jak tato součástka zpracovává proud během provozu?

Zařízení podporuje trvalý odtokový proud 18 A, který je vhodný pro různé aplikace.

Lze jej použít ve vysokonapěťových obvodech?

Ano, maximální napětí drain-source je dimenzováno na 40 V, což poskytuje flexibilitu pro vysokonapěťové aplikace.

Jaké jsou charakteristiky tepelného odporu?

Tepelný odpor od spoje k okolí se obvykle pohybuje kolem 50-55 °C/W, což usnadňuje účinný odvod tepla.

Je tento MOSFET kompatibilní s technologií povrchové montáže?

Ano, je k dispozici v pouzdru SOIC speciálně navrženém pro povrchovou montáž, což usnadňuje integraci do obvodů.