řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 12 A 60 V Infineon, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 165-5714
Výrobní číslo:: IRF7855TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 12 A 60 V Infineon, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*

60 348,00 Kč

(bez DPH)

73 020,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 4 000 jednotka(y) budou odesílané od 29. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
4000 +	15,087 Kč	60 348,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-5714
Výrobní číslo:: IRF7855TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	12A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	HEXFET
	Typ balení	SOIC
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	9.4mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	26nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	2.5W
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1.5mm
	Šířka	4mm
	Normy/schválení	No
	Délka	5mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada HEXFET
	Typ balení SOIC
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 9.4mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 26nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1.5mm
	Šířka 4mm
	Normy/schválení No
	Délka 5mm
	Automobilový standard Ne

MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální zdrojové napětí vypouštění 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 12 A – IRF7855TRPBF

Tento MOSFET je vysokoproudový N-kanálový tranzistor navržený pro spínání a řízení napájení v sestavách pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém rozsahu teplot pro průmyslové použití a je vhodný pro aplikace vyžadující nízké ztráty při vedení a rychlou odezvu hradla. Zařízení je dodáváno v 8kolíkovém pouzdru SOIC pro kompaktní montáž na desku plošných spojů a podporuje mírný ztrátový výkon při nepřetržitém provozu.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý odvod 60 V umožňuje spínání v systémech se středním napětím
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 12 A podporuje zvýšené zatěžovací proudy
• Nízká hodnota Rds(on) 9.4 mΩ snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Typický náboj hradla 26 nC zajišťuje citlivé ovládání spínání
• Tolerance hradla 20 V umožňuje flexibilní řízení napětí
• Rozptýlení výkonu 2.5 W pro řízení tepelné zátěže ve stísněných prostorech

Aplikace

• Vhodné pro napájecí lišty v průmyslových řídicích zařízeních
• Používá se s ovladači motorů vyžadujícími vysokoproudé spínání
• Ideální pro měniče DC/DC v kompaktních napájecích zdrojích
• Lze použít pro spínání zátěže v telekomunikačních zařízeních
• Vhodné pro konstrukce pro povrchovou montáž vyžadující pouzdra SOIC

Jaký teplotní rozsah může spolehlivě odolat při provozu?

Pracuje v rozsahu -55 °C až 150 °C a je vhodný pro náročné průmyslové tepelné prostředí.

Jak typ pouzdra ovlivňuje uspořádání PCB?

8kolíkový SOIC vyžaduje pozornost na tepelné průchodky a měděnou plochu, aby se účinně rozptyl jeho maximální ztráta výkonu 2,5 W.

Jaká elektrická charakteristika určuje účinnost vedení při vysokých proudech?

Maximální odpor zařízení odvod/zdroj 9,4 mΩ primárně řídí ztráty vedení při trvalém průtoku proudu.

Jaké jsou rozměry pohonu hradla pro efektivní spínání?

Ovladače hradla jsou navrženy tak, aby poskytovaly dostatečný náboj pro typický proud 26 nC Qg pro vyvážení rychlosti spínání s energií pohonu a EMI.