řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 20 A 30 V Infineon, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 165-5715
Výrobní číslo:: IRF7832TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 20 A 30 V Infineon, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*

54 180,00 Kč

(bez DPH)

65 556,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 13. května 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
4000 +	13,545 Kč	54 180,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-5715
Výrobní číslo:: IRF7832TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	20A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	SOIC
	Řada	HEXFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	4.8mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	2.5W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	34nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	155°C
	Šířka	4mm
	Délka	5mm
	Normy/schválení	No
	Výška	1.5mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení SOIC
	Řada HEXFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 4.8mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 155°C
	Šířka 4mm
	Délka 5mm
	Normy/schválení No
	Výška 1.5mm
	Automobilový standard Ne

MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 20 A – IRF7832TRPBF

Tento MOSFET je vylepšovací zařízení N-kanálu pro povrchovou montáž určené pro spínání a řízení napájení v kompaktních elektronických systémech. Pracuje v širokém rozsahu teplot vhodných pro průmyslová prostředí a integruje se do standardních půdorysů SOIC pro montáž PCB, což nabízí rovnováhu proudové kapacity a zvládnutelný ztrátový výkon pro konstrukce se středním výkonem.

Charakteristiky a výhody:

• Velmi nízký odpor při zapnutí 4.8 mΩ umožňuje snížení ztrát při vedení
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 20 A podporující vysoké proudové zátěže
• Jmenovité napětí 30 V pro běžné nízkonapěťové napájecí lišty
• Typický náboj hradla 34 nC pro rychlejší přepínání
• Maximální ztrátový výkon 2.5 W pro trvalou tepelnou manipulaci
• Tolerance hradlo-zdroj ±20 V umožňuje flexibilní úrovně pohonu

Aplikace

• Vhodné pro spínací stupně měničů DC/DC
• Ideální pro napájecí spínače motorových pohonů v kompaktních provedeních
• Používá se se synchronním usměrňováním v napájecích zdrojích
• Lze použít pro spínání zátěže v telekomunikačních zařízeních
• Vhodné pro správu baterií a rozvod napájení

Jakým tepelným extrémům odolává při provozu?

Zařízení je určeno pro provoz v rozsahu -55 °C až 155 °C, což umožňuje použití v náročných průmyslových teplotních podmínkách.

Kolik kolíků obsahuje balení pro uspořádání desek plošných spojů?

Dodává se v 8kolíkovém pouzdru SOIC, které pomáhá při standardním umístění a tepelném šíření.

Jaké úvahy o pohonu hradla vyplývají z nabíjení hradla?

Při typickém náboji hradla 34 nC musí budiče dodávat dostatečný špičkový proud, aby bylo dosaženo požadované spínací rychlosti bez nadměrných ztrát.

Jak jeho propustné napětí ovlivňuje scénáře sériového vedení?

Měřené přímé napětí 1 V ovlivňuje pokles mezi vnitřními diodovými událostmi a mělo by být vzato v úvahu při návrhu reverzního zotavení nebo vedení těleso-dioda.