MOSFET PMXB40UNEZ Typ N-kanálový 3.2 A 12 V Nexperia, DFN, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 153-1958
- Výrobní číslo:
- PMXB40UNEZ
- Výrobce:
- Nexperia
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
137,325 Kč
(bez DPH)
166,175 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 18. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 5,493 Kč | 137,33 Kč |
| 125 - 1225 | 2,411 Kč | 60,28 Kč |
| 1250 - 2475 | 2,272 Kč | 56,80 Kč |
| 2500 - 3725 | 2,213 Kč | 55,33 Kč |
| 3750 + | 2,164 Kč | 54,10 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 153-1958
- Výrobní číslo:
- PMXB40UNEZ
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 12V | |
| Typ balení | DFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 121mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 8.33W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 1.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 0.36mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 12V | ||
Typ balení DFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 121mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 8.33W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 1.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 0.36mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Unipolární tranzistor FET, 12 V, s rozšířeným N-kanálem s technologií Trench MOSFET v mimořádně malém plastovém SMD pouzdru DFN1010D-3 (SOT1215) bez vývodů.
Technologie Trench MOSFET
Mimořádně malé a tenké plastové SMD pouzdro bez vývodů: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Nekrytý jazýček pro kolektor pro vynikající vedení tepla
Ochrana před elektrostatickými výboji (ESD) 1 kV
Velmi malý aktivní odpor kolektor-zdroj RDSon = 34 mΩ
Velmi malé prahové napětí 0,65 V pro přenosné aplikace
Spínač zátěže low-side a spínač nabíjení pro přenosná zařízení
Správa napájení v přenosných zařízeních napájených bateriemi
Budič LED
Měniče DC/DC
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 3.2 A 12 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový -3.2 A -12 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET PMXB65UPEZ Typ P-kanálový -3.2 A -12 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 3.2 A 30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET PMXB56ENZ Typ N-kanálový 3.2 A 30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový -2.9 A -20 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový -2.4 A -30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET PMXB120EPEZ Typ P-kanálový -2.4 A -30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení