MOSFET Typ P-kanálový -2.9 A -20 V Nexperia, DFN, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

9 570,00 Kč

(bez DPH)

11 580,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 05. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
5000 +1,914 Kč9 570,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
153-0723
Výrobní číslo:
PMXB75UPEZ
Výrobce:
Nexperia
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Nexperia

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

-2.9A

Maximální napětí na zdroji Vds

-20V

Typ balení

DFN

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

950mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

6.8nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

8V

Maximální ztrátový výkon Pd

8.33W

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

1.05mm

Normy/schválení

No

Délka

1.15mm

Výška

0.36mm

Automobilový standard

Ne

Unipolární tranzistor FET 20 V s rozšířeným N-kanálem s technologií Trench MOSFET v ultra malém plastovém SMD pouzdru DFN1010D-3 (SOT1215) bez vývodů.

Technologie Trench MOSFET

Mimořádně malé a mimořádně tenké plastové SMD pouzdro bez vývodů: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Nekrytý jazýček pro kolektor pro vynikající vedení tepla

Ochrana před elektrostatickými výboji (ESD) 1,5 kV HBM

Aktivní odpor kolektor-zdroj RDSon = 69 mΩ

Velmi nízké prahové napětí řídicí elektrody pro mobilní aplikace VGS(th) = -0,68 V

Spínač zátěže high-side a spínač nabíjení pro přenosná zařízení

Správa napájení v přenosných zařízeních napájených bateriemi

Budič LED

Měnič DC/DC

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.